摘要： 以当年春兰的根状茎为材料进行离体快速繁殖体系研究。结果表明：（1）根状茎的诱导最佳培养基为1/2MS＋6-BA 2.0 mg/L(单位下同)＋NAA 0.5＋花宝1号1 g/L＋花宝2号2 g/L；（2）根状茎继代增殖培养基为1/2MS＋6-BA 0.5＋NAA 0.01＋花宝1号1 g/L＋椰子100 g/L＋活性碳(AC) 1 g/L，50 d为一继代周期，增殖系数达30～50倍；（3）根状茎壮苗生根培养基为1/2 MS＋IBA 1.5＋AC 1 g/L，培养50 d后生根率达95%。将生根苗移栽入小颗粒兰石中，盖膜保湿，成活率95%。

关键词: 春兰, 根状茎, 增殖, 离体培养